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產(chǎn)品中心

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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶(hù)訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-18
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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶(hù)訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）

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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶(hù)訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-14
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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射550±10nm）

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶(hù)訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射550±10nm）

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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射520±10nm）

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶(hù)訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射520±10nm）

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