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水溶性CuInS2/ZnS量子點產(chǎn)品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為30%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)550nm～800nm任一波長的產(chǎn)品。水溶性CuInS/ZnS 量子點（發(fā)射550±20nm）

水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長的產(chǎn)品。水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發(fā)射750±10nm）

水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長的產(chǎn)品。水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發(fā)射700±10nm）

水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長的產(chǎn)品。水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發(fā)射650±10nm）

水溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長的產(chǎn)品。水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點（發(fā)射620±10nm）