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產(chǎn)品中心

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  • 水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）

    水溶性Mn摻雜結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)產(chǎn)品，表面由親水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶(hù)訂制生產(chǎn)580nm～600nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-23
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  • 水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）

    水溶性Mn摻雜結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)產(chǎn)品，表面由親水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶(hù)訂制生產(chǎn)580nm～600nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-23
    產(chǎn)品型號(hào)：
    瀏覽量：433
  • 水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）

    水溶性Mn摻雜結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)產(chǎn)品，表面由親水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶(hù)訂制生產(chǎn)580nm～600nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(diǎn)（發(fā)射600±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-23
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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）

    水溶性Mn摻雜結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)產(chǎn)品，表面由親水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶(hù)訂制生產(chǎn)580nm～600nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-23
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  • 水溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射800±20nm）

    水溶性CuInS2/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為30%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶(hù)訂制生產(chǎn)550nm～800nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。水溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射800±20nm）

    更新時(shí)間：2024-09-20
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